پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر
ميدان (FET)
فرمت فایل : ppt
قابل ویرایش
تعداد اسلایدها : 20 اسلاید
فهرست مطالب:
تعريف
ايجاد ترانزيستور اثر ميدان
(FET)
باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد
آن
علامت اختصاري FET
منحني مشخصه FET
ترانزيستور اثر ميدان با گيت
عايق شده
N Channel
Mosfet
MOSFET
P-channel
Complementary
MOS CMOS
بخشی از
اسلایدها :
كلمه
ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي
است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود.
ترانزیستور
اثر میدان، دسته‌ای از ترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن ها توسط
یک ميدان الكتريكي صورت می گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع
حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند ، می توان آنها
را جزو ترانزیستورهای تک قطبی محسوب کرد.
اتصال
منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
· افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود.
· اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد.
· ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند
· با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحرانيVp)
در
هنگام رسيدن به ولتاژ بحراني جريان FET به حداكثر (جريان اشباع درين – سورس) مي رسد.
افزايش
بيش از حد ولتاژ درين – سورس باعث شكست بهمني يا سوختن ترانزيستور مي شود.
اتصال
منبع ولتاژ بين گيت و سورس در جهت معكوس باعث:
گسترش
هر چه سريعتر ناحيه تخليه در كانال
در
صورتيكه ولتاژ درين – سورس را بيش از ولتاژ بحراني انتخاب كنيم:
با
افزايش ولتاژ گيت سورس سرانجام جريان درين صفر خواهد شد. كه به اين ولتاژ ، ولتاژ قطع
يا آستانه ناميده مي شود.